مجتبی اشهدی - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران
داود واحدی فخرآباد - دانشگاه نیشابور، دانشکده علوم، گروه فیزیک

در این مقاله، خواص ترموالکتریکی تک لایه جدید دو بعدی B۲CO با استفاده از محاسبات اصول اولیه به دست آمده است. ساختار نواری و چگالی حالت های الکترونی بر پایه نظریه تابعی چگالی با استفاده از بسته محاسباتی کوانتوم- اسپرسو  (QE)، مورد مطالعه قرار گرفته است. خواص ترموالکتریکی با استفاده از معادله ترابردی نیمه کلاسیکی بولتزمن در تقریب زمان واهلش و در بسته محاسباتی  BoltzTraP محاسبه شدند. این خواص ترابرد الکتریکی شامل ضرایب رسانش الکتریکی  (sigma)، رسانندگی گرمایی (κe)، ضریب سیبک (S) و کمیت بدون بعد ضریب ارزشی ZT هستند که برای طراحی ادوات ترموالکتریکی مناسب هستند. بر اساس نتایج ما، تک لایه دو بعدی  B۲CO نشان دهنده یک نیم­رسانا با گاف نواری غیر مستقیم و با مقدار  ۱/۶۸ الکترون ولت است. نتایج محاسبات عددی خواص ترابردی تقریبا همسانگرد برای تک لایه دو بعدی  B۲CO ررا نشان می­دهند. به ویژه، مطالعه ترموالکتریک تک لایه دو بعدی  B۲CO، عملکرد خوب ترموالکتریکی با ضریب ارزشی بالا را نمایش می­دهد، به طوری که نانوساختار  B۲CO یک نیم رسانای نوع n است و مقدار ضریب سیبک و ضریب ارزشی در دمای اتاق به ترتیب، V/Kµ ۲۵۹۵- و ۱ به دست آمدند.

نظریه تابعی چگالی, معادله ترابردی بولتزمن, تک لایه B۲CO, ضریب سیبک, ضریب ارزشی