Investigation of Electrical Characteristics of Submicron Silicon Carbide MOSFETs
Publish place: 2nd International Congress on Nanoscience and Nanotechnology
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 947
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNN02_346
تاریخ نمایه سازی: 27 شهریور 1391
Abstract:
In this paper, we exhibit unique features of Silicon Carbide Field Effect Transistors (SiC MOSFET) in sub-micron dimensions and compare these features with conventional Si MOSFETs. Using two-dimensional simulation, we have investigated the improvement in SiC device performance as compared to Si MOSFETs. Electrical characteristics including forward characteristics, subthreshold slope, drain conductance, Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) for this device are discussed
Authors
Samaneh. Sharbati
Department of Electronic Engineering, University of Semnan, Semnan, Iran
Morteza Fathipour
Device and Process Modeling and Simulation Lab., School of Electrical and Computer Eng.
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :