Numerical Modeling of Nanowire Interconnects
Publish place: 2nd International Congress on Nanoscience and Nanotechnology
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 577
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNN02_417
تاریخ نمایه سازی: 27 شهریور 1391
Abstract:
Interconnects play a critical role in determining system performance and reliability in today’s integrated circuits (ICs) where dimensions are scaled into nanometre regime and operating frequencies range in gigahertz. Nanowires provide promising characteristics for future interconnect. In this paper we propose a new approach to investigate interconnect parameters for nanowire interconnects which are becoming more promising in the future. The interconnect resistance and coupling capacitance plays an important role in determining the delay and coupling effects of the circuit. Nanowire interconnects are studied numerically using quantum transport simulation approach. We begin by assuming ballistic transport which gives the upper performance limit of the devices. The use of a mode space approach produces high computational efficiency that makes our simulation practical for extensive device simulation and design