ارائه یک تقویت کننده کم نویز (LNA ) با ولتاژ و توان مصرفی بسیار پائین در ناحیه زیر آستانه با ساختار کسکود تاشده در فرکانس 1.5GHz
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 4,020
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_034
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
Abstract:
در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز با ولتاژ تغذیه 0.47 و توان مصرفی بسیار پائین در فرکانس 1.5GHz با استفاده از ساختار کسکود تاشده در تکنولوژی TSMC 0.18µm CMOS، ارائه می دهیم که در آن ترانزیستورها در ناحیه زیر آستانه بایاس شده اند. با استفاده از مدار پیشنهادی برای افزایش بهره در این ساختار و استفاده از تکنیک بایاس بدنه، توانسته ایم به ضریب شایستگی بسیار بالایی نسبت به ساختارهای مشابه دست یابیم. LNA ارائه شده در این مقاله دارای بهره بیش از 14.5dB می باشد در حالی که توان مصرفی و عدد نویر در آن به ترتیب برابر با 790µW و 2.9dB است، همچنین مدار در فرکانس کاری دارای تطبیق امپدانس ورودی و خروجی مطلوبی است و در کل پهنای باند ایزولاسیون خروجی و ورودی آن کمتر از 33dB – می باشد.
Keywords:
تقویت کننده کم نویز , ساختار کسکود تاشده , بایاس مستقیم بدنه , ناحیه زیر آستانه , افزایش ترارسانایی , توان مصرفی بسیار پائین , ولتاژ تغذیه بسیار پائین
Authors
امین ظفریان
دنشجوی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
عباس گلمکانی
استادیار موسسه آموزش عالی سجاد مشهد
جلیل شیرازی
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد گناباد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :