الهه رشنو - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه لرستان، خرم آباد، ایران،
نسرین سپه وند - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران،
محسن بهرامی - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه لرستان، خرم آباد، ایران

در این پژوهش تاثیر تغییر ضخامت نانوذرات آلومینیومی مکعبی شکل یک بعدی با آرایشی مستطیلی بر روی سطح دی الکتریک (SiO۲) مورد بررسی قرار گرفته است. برای بررسی خواص اپتیکی و توزیع میدان الکتریکی با ضخامتهای مختلف ۱۰، ۵۰، ۱۰۰ نانومتر در سه مرحله از روش عددی تفاضلات متناهی حوزه زمان (FDTD) استفاده شده است. نتایج شبیه سازی نشان داد که در ضخامتهای ۱۰ و ۱۰۰nm انعکاس نور از سطح نانوذرات نسبت به ضخامت ۵۰ nm به ترتیب کاهش و افزایش مییابد. با توجه به مقدار نور جذب شده مشاهده گردید که تحت اثر تشدیدهای پلاسمونیکی جایگزیده ایجاد شده بین نانوذرات آلومینیومی توزیع میدان الکتریکی در ضخامت ۵۰ nm بیشتر از دو ضخامت دیگر میباشد.

پلاسمونیک، تفاضلات متناهی حوزه زمان، نانوذرات آلومینیومی.