سیدمحمدسعید علوی - دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه جامع امام حسین (ع)
سیدعباس وزیری - دانشیار دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه جامع امام حسین (ع)
عباس وزیری - استادیار دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه جامع امام حسین (ع)

در کامپوزیت های C/C-SiC دو بعدی معمولا عیب تورق محتمل است. برای غلبه بر این عیب معمولا از راهکارهای مختلفی استفاده می شود. یکی از این راهکارها بهبود استحکام برشی بین لایه ای کامپوزیت از طریق اصلاح پیوند زمینه - الیاف است. در این مقاله سه کامپوزیت C/C-SiC با الیاف کربن اصلاح نشده، الیافکربن بدون آهار و الیاف کربن عملیات حرارتی شده در دمای بالا به روش LSI ساخته شد. کامپوزیت C/C-SiC با الیاف کربن اصلاح نشده به علت ضخامت بیش از mm پس از LSI دچار تورق شد. کامپوزیت های C/C-SiC با الیاف بدون آهار و عملیات حرارتی شده در دمای بالا پس از LSI دچار تورق نشدند و ریز ساختار خوبی دارند.

کامپوزیت C/C-SiC، رزین فنولیک، LSI، حذف استر الیاف کربن، عملیات حرارتی دما بالای الیاف کربن