حل معادله بولتزمن در نیمه هادی (+) n (+)-i- n با روش مونت کارلو
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,349
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_269
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
Abstract:
دی این مقاله افزاره ای از جنس GaAs و ساختار (+)n (+)-i- n را در نظر می گیریم و معادله انتقال بولترمن را با روش مونت کارلو حل می کنیم. در این شبیه سازی حامل های اکثریت یعنی الکترون ها را در نظر می گیریم. برای حرکت الکترون ها دو دره در نظر می گیریم و پراکندگی ناشی از ناخالصی و فونون را لحاظ می کنیم. توزیع انرژی، سرعت، غلظت الکترون ها و پتانسیل الکتریکی در این افزاره را محاسبه می کنیم و نتایج بدست آمده را با یک حل عددی معتبر مقایسه می کنیم. نتایج شبیه سازی انتقال از دره T به L به ازای میدان های قوی و همراه با کاهش انرژی الکترون ها نشان می دهد.
Keywords:
Authors
احسان احمدیان
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه شهید چمران اهواز
محمد سروش
عضو هیئت علمی دانشگاه شهید چمران اهواز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :