شبیه سازی و مطالعه پارامترهای سلول خورشیدی با ساختار N-a-SiGe/i-a-Si/P-c-Si

Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,020

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE04_277

تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391

Abstract:

سلولهای خورشدی NIP بدلیل سادگی طراحی و بازده بالا همچنان بعنوان پرکاربردترین نوع این سلول ها مورد مطالعه وسیع قرار می گیرند. در این مقاله این نوع سلول با بکارگیری ژرمانید سیلیسیم آمورف نوع n برای لایه امیتروسیلیسیم آموف برای ناحیه میانی بر روی سیلیسیم کریستالی نوع P طراحی و شبیه سازی شده است. خواص الکتریکی این سلول با استفاده از نمودارهای جریان- ولتاژ در حالت تاریکی و با اعمال نور محاسبه شده و همچنین نمودارهای بازده کوانتومی داخلی و خارجی و نمودار پاسخ طیفی برای این سلول رسم شده و مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی بیانگر خمیدگی باندهای انرژی لایه ذاتی میانی و کشیدگی سد پتانسیل در تمام ناحیه میانی بین دو نیمه هادی نوع n و p می باشد. مقادیر جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز این سلول بترتیب (فرمول در متن اصلی) در دمای 300K محاسبه شده است. همچنین محاسبات انجام شده نشان می دهد که سلول مورد نظر دارای بازده 24/4% می باشد که با 61/87% = FF بدست آمده است.

Authors

محمدرضا رخشانی

دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران

طاهره فنایی شیخ الاسلامی

دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران

بهمن نباتی

دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان،ایران

محمدعلی منصوری بیرجندی

دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Norb ertoHern a-ndez-Como and ArturoMorales -Acevedo, :Simulation of hetero-junction silicon ...
  • P Ro sales-Quintero, A Torres-Jacome, R M urphy-Arteaga and M ...
  • J. Palm, W. Kr uhler, W. Kusian, A. Lerchenberger, A. ...
  • نمایش کامل مراجع