CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

شبیه سازی عددی انتقال گرمای همرفتی اجباری نانو سیال در داخل میکرو کانال موج دار تحت میدان مغناطیسی

عنوان مقاله: شبیه سازی عددی انتقال گرمای همرفتی اجباری نانو سیال در داخل میکرو کانال موج دار تحت میدان مغناطیسی
شناسه ملی مقاله: JR_TUMECHJ-52-4_020
منتشر شده در در سال 1401
مشخصات نویسندگان مقاله:

مهدی مسلمی - استادیار، موسسه آموزش عالی آیندگان، تنکابن، ایران
فائزه نجاتی - استادیار، موسسه آموزش عالی آیندگان، تنکابن، ایران

خلاصه مقاله:
در این مطالعه انتقال گرمای همرفتی اجباری جریان لایه ای نانو سیال آب و اکسید مس در میکرو کانال موج دار  در حضور میدان مغناطیسی با استفاده از روش عددی مورد بررسی قرارگرفته است . معادلات تابع جریان، انتقال گردابه و انرژی به روش تفاضل محدود گسسته سازی شده و با  قراردادن شرایط مرزی توجه به شرایط مرزی موردنظر در محیط نرم افزار فرترن حل می گردند. تاثیر پارامترهای مختلفی ازجمله عدد رینولدز در محدوده ۵۰۰-۵۰ ، کسر حجمی ۰-۱۰% ، عدد هارتمن ۲۰-۰ و دامنه موج های ۳/۰-۰ بر عملکرد یک میکرو کانال موج دار  موردبررسی قرار می گیرد.  با توجه به نتایج به دست آمده، شکل سینوسی میکرو کانال به طور مستقیم بر انتقال گرما تاثیر گذاشته و با افزایش دامنه موج میکرو کانال عدد ناسلت افزایش می یابد. از طرفی گردابه های ایجادشده در رینولدزهای بالا نیز سبب بهبود کارایی میکرو کانال و افزایش انتقال گرما می گردد. همچنین نتایج نشان می دهد که با افزایش عدد هارتمن، خط جریان در نزدیکی دیواره منظم تر شده و با توجه به گرادیان دمایی ایجادشده، عدد ناسلت افزایش می یابد.

کلمات کلیدی:
انتقال گرما, نانو سیال, جریان گردابی, میدان مغناطیسی, میکرو کانال موج دار, بهبود کارایی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1643536/