طراحی و شبیه سازی ضرب کننده آنالوگ، CMOS در تکنولوژی 0.35µm و باند فرکانسی 10GHZ با استفاده از بارهای دیودی
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 989
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_292
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
Abstract:
یک ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی جدید در این مقاله نمایش داده شده است. ضرب کننده پیشنهادی برای عملکرد در ولتاژهای پایین با توان مصرفی پایین مناسب می باشد. مدار ضب کننده پیشنهادی با استفاده از نرم افزار Hspice با تکنولوژی 0.35µm شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی شده نشان می دهد که مدار قابلیت عملکرد با ولتاژ مصرفی 1 ولت با توان مصرفی 20µw و پهنای باند 10GHZ و THD برابر 1.5% را دارد. همچنین مدار ضرب کننده پیشنهادی می تواند بعنوان دو بلر فرکانسی استفاده شود.
Keywords:
Authors
محسن شاهسونی
دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
مصطفی اسماعیل بیگ
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
محسن معصومی
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد جهرم
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :