محاسبه توزیع پتانسیم و انرژی الکترون ها در ساختار nin با روش مؤنت کارلو دسته جمعی

Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 777

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE04_301

تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391

Abstract:

در این مقاله با استفاده از روش مؤنت کارلو دسته جمعی یک مدل (+)-n-(+)i-n از جنس GaAs را شبیه سازی می کنیم. با تکرار پروسه رانش و پراکندگی و حل معادله پواستون توزیع پتانسیل افزاره را محاسبه می کنیم. برای حرکت الکترونها دو دره در نظر می گیریم و پراکندگی ناشی از فونونها و ناخالصی را نیز لحاظ می کنیم. نتایج بدست آمده را با یک مرجع معتبر مقایسه می کنیم. همچنین توزیع مکانی انرژی و چگالی الکترونها در نقاط مختلف افزاره را نیز شبیه سازی می کنیم.

Authors

احسان عیدیان

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک

مرتضی تائب جولا

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک

محمد سروش

استادیار گروه الکترونیک دانشگاه شهید چمران هواز

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • . D. Vasileska and Stephen M. Goodnick _ Computational Electronics" ...
  • . K. Tomizawa, Numerical Simulation of Submicron Semicondu ctor Devices, ...
  • . Li, H.; Cao, J. C.; Lu, J. T." Monte ...
  • quantum cascade laser , Journal of Applied Physics, 103113 - ...
  • . Tea, E.; Aniel, F _ Minority electron mobilities in ...
  • Yijia Du, lingfu Bao, Wenchang Wu, Cheng Tu, Pengfei Mu ...
  • نمایش کامل مراجع