طراحی لایه تطبیقی بهینه در آشکار ساز نوری بهمنی GaN/Al(0.8)Ga(0.2)N با ساختار SAGM به کمک شبکه عصبی MLP و الگوریتم ژنتیک
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,073
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
این Paper در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_325
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
Abstract:
در این مقاله، نویز اضافی آشکار ساز نوری بهمنی با ساختار SAGM را به کمک شبکه عصبی پرسپترون جند لایه و الگوریتم ژنتیک محاسبه می کنیم. برای این منظور آشکار ساز با ناحیه GaN برای ناحیه جذب وAL(0.8)Ga(0.2)N را برای ناحیه تکثیر انتخاب می کنیم. با توجه به امکانات محدود آزمایشگاهی، تأثیر برخی پارامترهای مؤثر بر لایه های تطبیقی از جمله غلظت ناخالصی ناحیه بار، طول ناحیه بار، تعداد پله ها در ناحیه بار و همچنین طول ناحیه تکثیر را بر نویز اضافه افزاره بررسی می کنیم. سپس یک مدل پایه برای ارزیابی اثر لایه های تطبیقی بر نویز اضافه با استفاده از شبکه عصبی پرسپترون چند لایه پیشنهاد می دهیم. پس از آموزش شبکه، کمترین خطای سری آزمون 0.1699 بدست آمد و شبکه پیش بینی نویز اضافی افزاره را با دقت قابل قبولی ارائه شداد. در نهایت به طراحی پارامترهای لایه های تطبیقی برای کمینه کردن نویز اضافی افزاره به کمک الگوریتم ژنتیک می پردازیم.
Keywords:
دیود نوری بهمنی , نیمه هادی AL(x)Ga(1-x)N , شبکه عصبی پرسپترون چند لایه , الگوریتم ژنتیک , ضریب نویز اضافی
Authors
سیده رضوان مستطایی
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گناباد
محمد سروش
استادیار گروه برق دانشگاه شهید چمران اهواز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :