محدودیت های پاسخ فرکانسی در تقویت کننده تفاضلی با بار فعال در وضعیت تک خروجی
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 4,200
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_338
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
Abstract:
تقویت کننده تفاضلی CMOS با بار فعال در وضعیت تک خروجی، یکی از گسترده ترین بلوک های ساختاری آنالوگ در مدارهای سیگنال ترکیبی، برای برنامه های پردازش سیگنال است. ابداع مدار مجتمع، زوج تفاضلی را به واحدی پرکاربرد در فناوری MOS تبدیل کرد. در این مقاله از مفروضات ساده ای که در تجزیه و تحلیل مدارات مورد استفاده قرار می گیرد ابتکار عمل گرفته و رویکرد جدیدی برای تجزیه و تحلیل مدار، با توجه به غیر ایدهآل بودن آن، بیان می کند. تأثیر اثرات خازن خود ترانزیستور و خازن های بار با تحلیل تقویت کننده ها در فرکانس بالا مشخص می شود. به دلیل تشکیل مسیرهای اضافی از ورودی ها به خروجی های مدار تفاضلی و وجود صفر و قطب های متفاوت در هر مسیر به کارگیری مدار در سرعت های بالا را محدود می کند.
Keywords:
Authors
محمود آل شمس
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
سید مصطفی بیژنی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
ابوالفضل امیری
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد بوشهر
جهان بخش دهقانی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی بوشهر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :