مصیب شهابی - ایران_یزد_دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد-گروه برق
محمدرضا شایسته - ایران_یزد_دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد-گروه برق

در این مقاله به شبیه سازی و بهینه سازی ترانزیستور اثر میدانی فلز اکسید نیمه رسانا پرداخته می.شود در ابتدا مراحل شبیه سازی در سیلواکو بیان میشود. سپس منحنی VGS - ID) این افزاره را استخراج میشود پس از آن به تغییرات دما در فرآیند ایجاد اکسید گیت مورد بررسی قرار میگیرد منحنی ID) - VGS) بر حسب این تغییرات دما را در پروسه ایجاد اکسید گیت را به دست می آوریم. تغییرات انرژی در فرآیند دوپینگ ایجاد کانال P این افزاره مورد بررسی قرار میگیرد و منحنی VGS - ID) بر حسب این تغییرات انرژی را نیز به دست خواهیم آورد و در نهایت تغییرات انرژی در کاشت یونی مورد بررسی قرار خواهد گرفت. پس از آن با توجه به نتایج به دست آمده یک ترانزیستور بهینه شده نسبت به شبیه سازی اولیه را طراحی و مورد بررسی قرار خواهد گرفت تمام مراحل شبیه سازی با استفاده از نرم افزار سیلواکو انجاممیشود.

MOSFET ،بهینه سازی، شبیه سازی، سیلواکو، ترانزیستور، NMOS،