بررسی نظری و تجربی تأثیر تغییر درصد آرگون بر آهنگ لایه نشانی در پلاسمای ترکیبی نئون- آرگون در تهیه لایه های نازکی از Cu و Al به روش کندوپاش پلاسمایی

در این کار تجربی لایه های نازکی از Cu و Al با استفاده از کندوپاش مگنترونی به روی بستر یشه ای تهیه و تغییر آهنگ نهشت فیلم ها با فشار و درصدهای مختلف ترکیب گاز آرگون در یک پلاسمای نئون برای دو حالت مختلف با منابع تغذیه DC و RF به طور جداگانه بررسی گردید. برای تأیید نتایج تجربی، با استفاده از نظریه سیگموند محصول کندوپاش بر حسب درصد گاز آرگون برای هدف مسی و آلومینیومی محاسبه شد. مقایسه نشان می دهد که نتایج تجربی با نتایج حاصل از نظریه سیگموند همخوانی قابل قبولی دارند. برای درصدهای پائین، آهنگ نهشت در کندوپا مگنترونی اعم از DC و RF با اضافه شدن درصد گاز آرگون، افزایش می یابد. احتمال برخورد بین اتم های آرگون و اتم های نئون بیشتر از احتمال برخورد بین اتم های نئون است. این امر باعث افزایش یونش اتم های گاز در سیستم خلاء می شود. با بالا رفتن چگالی یونی، یون های بیشتری در پدیده کندوپاش شرکت می کنند که منجر به افزای آهنگ لایه نشانی می شود. در درصدهای بالاتر، آهنگ نهشت تقریباً ثابت شده و با افزایش درصد گاز آرگون تغییر محسوسی نمی کند. سطح مقطع برخورد گونه های کندوپاشی- آرگون بیشتر از سطح مقطع برخورد گونه های کندوپاشی –نئون است. بنابر این به علت برخوردهای بیشتر، احتمال رسیدن اتم ها و یون های کندوپاش شده به بستر کاهش می یابد.

Keywords:

لایه نازک , کندوپاش مگنترونی , تخلیه نورانی , نظریه سیکموند