تولید لایه های ITO به روش تبخیر فیزیکی در خلاء توسط اشعه الکترون از قرص های ترکیبی پودرهای (In(2)O(3 و (SnO(2

مخلوط از 90% اکسید ایندیم و 10% اکسید قلع که با نام ITO رواج یافته است، یک نوع اکسید شفاف به نور با هدایت الکتریکی بسیار خوب (TCO) می باشد. لذا لایه نازکی از ITO را به عنوان الکترود روئین سلول خورشیدی به روش PVD لایه نشانی کردیم. به منظور جلوگیری از آلودگی لایه ها، آنها را قبل از قرار گرفتن در خلاء با اسید تمیز کرده و بعد از شستشو با آب مقطر، با الکل چربی زدایی نمودیم. به علت نقطه ذوب بالای هر دو ماده( In(2)O(3 و( SnO(2 ، استفاده از روش تبخیر حرارتی ممکن نبود و برای لایه نشانی از اشعه الکترون 3 کیلو وات شرکت Hindi-vac در بوته گرافیتی استفاده کردیم. محفظه لایه نشانی ضمن اتصال به سیستم پمپ، برای خروج آلودگی های احتمالی از مخزن تا 250 درجه به مدت یک ساعت حرارت داده شد. از آنجا که در دماهای بالا امکان شکسته شدن پیوند اکسیژن با عناصر ایندیم و قلع وجود دارد و در واقع عامل کدر شدن لایه ها می شود. بنابراین در حین لایه نشانی، از طریق شیر سوزنی مقداری هوا به محیط خلاء تزریق کردیم. ضخامت لایه در این مرحله حدود 700 نانومتر بود. به منظور اکسیداسیون بهتر لایه ها، آنها را در کوره الکتریکی تا حدود 300 درجه حرارت دادیم. لایه های تولید شده قبل از عملیات حرارتی شفافیت نداشتند، ولی بعد از عملیات حرارتی شفافیت لازم را بدست آوردند. در بررسی بعدی در نظر داریم که قلع و ایندیم فلزی را از دو چشمه متفاوت و به ترتیب به میزان رشد 1 به 9 در دمای تصعید هر کدام از مواد ایندیم فلزی و قلع فلزی تبخیر کرده و همزمان اکسیژن خالص را از بیرون به نزدیکی زیر لایه وارد نموده و به درون بخار اتم ها بدمیم. بدین ترتیب عناصر فلزی فوق قبل از لایه نشانی اکسیده شده و به صورت تازه لایه نشانی می شوند و از نفوذ آلودگی جلوگیری خواهد شد. در نتیجه انتظار می رود که کیفیت لایه ITO با این روش بهبود یابد.

Keywords:

سلول خورشیدی- اکسید رسانای شفاف- لایه نازک , اکسید ایندیم , اکسید قلع , تبخیر فیزیکی در خلاء