طراحی مبدل باک سنکرون دو مد در تکنولوژی CMOSابعاد 90nm
Publish place: 15th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,012
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE15_184
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
Abstract:
در این مقاله مبدلDC-DCباک دومد ارائه می شود. این مبدل توانایی تطبیق با شرایط مختلف بارگیری و بنابراین دست یافتن به بازده بالا در رنج وسیع از جریان بار را دارد. لذا به کار گیری این مدار در تجهیزات تغذیه شونده با باتری، زمان استفاده از باتری را افزایش می دهدمنابع سوییچینگPWM معمولی در فرکانس ثابت کار میکنند، به علت اتلاف سوییچ بالاتر دارای بازده بار سبک پایینی می باشند در حالی که منابع سوییچینگ با کنترلPFM بازده بیشتری در بار سبک دارد. زیرا فرکانس سوییچ و اتلاف سوییچ با کمتر شدن جریان بار کمتر شده است مبدل دومد تحت شرایط بار سبک به مدPFM وارد می شود. مبدلDC-DCباک در تکنولوژی CMOSابعاد90nm شبیه سازی می شود. بازده مبدل باک ارائه شده در ولتاژ خروجی8.1V بالای % 18 است.
Keywords:
کنترلPWM کنترلPFM مبدل دومد
Authors
مریم شرفی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تربیت دب
پرویز امیری
استادیار دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :