طراحی سوییچ RF MEMS با خم مارپیچی و غشا طلا به منظورکاهش ولتاژ تحریک
Publish place: 15th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,092
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE15_200
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
Abstract:
دراین مقاله یک ساختارجدیدبرای سوییچهای فرکانس رادیویی میکروالکترومکانیک جهت کاهش ولتاژ تحریک معرفی شده است از آنجا که اصلی ترین مشکل درسوییچهای RF MEMS ولتاژ تحیرک بالا است نشان خواهیم داد که با طراحی سوییچ ثابت - ثابت یا پل معلق خازنی با غشا خم مارپیچی به کاهش ثابت فنری و درنتیجه ولتاژ تحریک کمتری دست خواهیم یافت درادامه از غشا طلا نسبت به مس استفاده کرده و مجددا به ولتاژ تحریک کاهش یافته حدود 13% دست یافتیم که این نتایج با مقالات معتبر مورد مقایسه قرارگرفته و همچنین پیشنهادات فوق با نرم افزارالمان محدود Intellisutie (FEA شبیه سازی شده است.
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :