ساخت تراوسیستورهای لایه وازک اکسید روی و بررسی اثر سطح تماس مشترک اتصالات سورس- دریه و کاوال بر عملکرد آن
Publish place: 15th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 702
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE15_224
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
Abstract:
دراین مقاله ساخت ترانزیستورهای لایه نازک برپایه اکسیدروی را مورد بررسی قراردادیم و همچنین مشخصه های مهم این افزاره را معرفی و استخراج کردیم هندسه و ابعاد ترانزیستور برعملکرد ترانزیستورتاثیر زیادی دارد ازجمله پارامترهایی که می تواند برروی عملکرد ترانزیستورهای لایه نازک موثر باشد سطح تماس مشترک بین اتصالات سورس درین و کانال اکسید روی می باشد آزمایشهای انجام شده نشان میدهد که با افزایش سطح تماس مقدارجریان روشن ترانزیستور افزایش می یابد.
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :