CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

ساخت تراوسیستورهای لایه وازک اکسید روی و بررسی اثر سطح تماس مشترک اتصالات سورس- دریه و کاوال بر عملکرد آن

عنوان مقاله: ساخت تراوسیستورهای لایه وازک اکسید روی و بررسی اثر سطح تماس مشترک اتصالات سورس- دریه و کاوال بر عملکرد آن
شناسه ملی مقاله: ISCEE15_224
منتشر شده در پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران در سال 1391
مشخصات نویسندگان مقاله:

عباس شیری - آزمایشگاه لایه نازک دانشگاه تهران
فاطمه دهقان نیری
ابراهیم اصل سلیمانی

خلاصه مقاله:
دراین مقاله ساخت ترانزیستورهای لایه نازک برپایه اکسیدروی را مورد بررسی قراردادیم و همچنین مشخصه های مهم این افزاره را معرفی و استخراج کردیم هندسه و ابعاد ترانزیستور برعملکرد ترانزیستورتاثیر زیادی دارد ازجمله پارامترهایی که می تواند برروی عملکرد ترانزیستورهای لایه نازک موثر باشد سطح تماس مشترک بین اتصالات سورس درین و کانال اکسید روی می باشد آزمایشهای انجام شده نشان میدهد که با افزایش سطح تماس مقدارجریان روشن ترانزیستور افزایش می یابد.

کلمات کلیدی:
اکسیدروی، ترانزیستورهای لایه نازک، جریان روشن، سطح تماس، موبیلیتی، اشباع

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/170960/