مرتضی فتحی پور - دانشگاه تهران، تهران، ایران
تارا افرا - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، تهران، ایران

ساخت پالس های الکتریکی توان بالا با زمان صعود زیر نانوثانیه، با بکارگیری سازوکار یونیزاسیون برخوردی سریع در افزاره 4 لایه نیمه هادی، امکان پذیر می شود. سازوکار یونیزاسیون برخوردی سریع در ساختارهای نیمه هادی، سریعترین روش غیر نوری تولید پالس های سریع نانوثانیه ای و توان بالا ، محسوب می شود. در این مقاله، فرایند تولید پلاسمای الکترون و حفره و سازوکار یونیزاسیون برخوردی سریع در ساختار 4 لایه نیمه هادی با بستر سیلیسیمی، به کمک تحلیل های عددی، بررسی می شود . در ادامه، عوامل تاثیرگذار مانند غلظت ناخالصی تزریق شده در بستر و ضخامت لایه بستر در سرعت کلیدزنی و میزان جریان تولیدی در این افزاره، مورد بحث قرار می گیرد و راهکاری در جهت بهینه سازی کلید نیمه هادی 4 لایه ارائه می گردد

کلید توان بالا، یونیزاسیون برخوردی سریع