عباسعلی آقائی - مجتمع علم مواد و مواد پیشرفته الکترومغناطیس، دانشگاه صنعتی مالک اشتر اصفهان (دکتری)
اکبر اسحاقی - مجتمع علم مواد و مواد پیشرفته الکترومغناطیس، دانشگاه صنعتی مالک اشتر اصفهان (دکتری)
مظاهر رمضانی - مجتمع علم مواد و مواد پیشرفته الکترومغناطیس، دانشگاه صنعتی مالک اشتر اصفهان (دکتری)
حسین زایلیان - شرکت صنایع الکترواپتیک اصفهان (دکتری)
مرضیه عباسی فیروزجاه - دانشکده مهندسی، دانشگاه فناوری های نوین سبزوار (دکتری)

در این تحقیق لایه نشانی لایه نازک سیلیکون کربن اکسی نیترید روی زیرلاییه سیلیکونی بیه روش کندوپاشمغناطیسی رادیو فرکانسی صورت گرفت. آزمون پراش پرتو ایکس به روش گریزینگ به منظور بررسی ساختارلایه نازک انجام شد. همچنین آزمون رامان با هدف تعیین حضور یا عدم حضور نانوکریستال ها در ساختار انجامشد. از آزمون بازتاب کلی تضعیف شده تبدیل فوریه مادون قرمز به منظور شناسایی پیوندهای شیمیایی سطحیاستفاده شد. با استفاده از الیپسومتری و آزمون تبدیل فوریه میادون قرمز، تعیین پارامترهای اپتیکی لایه نازکصورت گرفت. آزمون میکروسکوپی نیروی اتمی برای بررسی توپوگرافی و زبری سطح لایه نازک انجام شد.در نهایت زوایه تماس قطره آب روی سطح لایه نازک به وسیله تصویربرداری با دوربین دیجیتال تعیین شد.نتایج آزمون پراش پرتو ایکس به روش گریزینگ تشکیل ساختار آمورف در لایه نازک را اثبات نمود. همچنینآزمون رامان عدم تشکیل نانوکریستال های گرافیت در ساختار پوشش را تعیین نمود. نتایج آزمون الیپسومترینشان داد که ضریب شکست سیلیکون کربن اکسی نیترید اعمالی در طول موج ۴ میکرون برابر با ۴۳ / ۱ می باشد.آزمون میکروسکوپی نیروی اتمی نشان داد، لایه نازک سیلیکون کربن اکسی نیترید با RMS برابر با nm ۱/۰۱تشکیل می شود. اندازه گیری زاویه تماس قطره آب مشخص نمود که لایه نازک سیلیکون کربن اکسی نیتریدآب دوست می باشد.

سیلیکون کربن اکسید نیتریید؛ اکسی نیترید، خواص ساختاری، خواص اپتیکی، ترشوندگی، کندوپاش مغناطیسی