محمد رزازی بروجنی - استادیار، دانشکده مهندسی مواد، واحد لنجان، دانشگاه آزاد اسلامی، اصفهان، ایران
مناضل یوسف یعقوب یعقوب - دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه مواد ومتالورژی، واحد تهران جنوب، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

تولید نانوسیم های مغناطیسی به کمک بستر متخلخل ایجاد شده به روش آندایزینگ یکی از موضوعات مهمم درحوزه علم نانو و مهندسی سطح می باشد. در این پژوهش ابتدا با کنترل دقیق دما و شرایط، آندایزینگ در محمیطاسید اگزالیک در ولتاژ ۹۰ ولت انجام شد. سپس با توجه به ماهیت اکسیدی و غیر متخلخل بودن لایه سدی (لایهچسبنده به سطح) با استفاده از کاهش ولتاژ در قسمت نهایی پوشش دهی آندایزینگ ضخامت این لایه به حداقلمقدار ممکن تقلیل یافت. بررسی های XRD و EDS نشان داد که بستر لایه تولیدی متخلخل ماهیت اکسیدی وآمورف دارد. پوشش اکسیدی در این پژوهش حدود ۵۳ میکرومتر ضخامت داشت. در مرحله دوم به کمکروش رسوب الکتروشیمیایی نانوسیم های نیکل فسفر با خاصیت مغناطیسی بسیار مناسب درون لایه آندایز ایجاد شدند. نانوسیم های درون پوشش آندایزینگ دارای ماهیت مخلوط کریستالی آمورف بودند. بررسی خواصمغناطیسی به کمک آزمون VSM انجام گردید و مشاهده شد که وادارنگی مغناطیسی این نانوسیم ها قابل توجهاست و نشان می دهد که این نانوسیم ها مواد مغناطیسی سختی هستند.

آندایزینگ؛ خواص مغناطیسی؛ نانوسیم؛ مورفولوژی؛ رسوب الکتروشیمیایی.