مسعودالله کرمی - آزمایشگاه ترموالکتریک
لیلا سید فرجی - آزمایشگاه ترموالکتریک
کامران احمدی - آزمایشگاه ترموالکتریک
قاسم کاوه ای - آزمایشگاه ترموالکتریک

ترکیب (Bi۲Te۳)۰.۹۶(Bi۲Se۳)۰.۰۴ نیمرسانای نوعn- برای استفاده در سیستم­های سرد کننده­ی ترموالکتریکی است. تک بلور این ترکیب به روش رشد ناحیه­ای رشد داده شد و توان ترموالکتریکی (σ α ۲) در امتداد رشد نمونه­ی بلورین که در آن σ رسانایی الکتریکی، α ضریب سیبک است اندازه­گیری شد. در این اندازه­گیری شیب چشم­گیری در توان ترموالکتریکی در امتداد نمونه مشاهده شد. ساختارهای ترکیب در بخش­هایی از بلور رشد داده شده به روش آنالیزXRD مورد بررسی قرار گرفت. تغییرات ترکیب شیمیایی (تابع توزیع Bi۲Se۳) برازش هم ارزی با تغییرات توان ترموالکتریکی در امتداد میله­ی رشد داده شده دارد. فرایند تجربی رشد بلور با تحلیل ریاضی شبیه­سازی شد. با تحلیل ریاضی شیب تراکم Bi۲Se۳ در امتداد نمونه­ی رشد داده شده بررسی و معلوم شد که در فرایند رشد  تغییرات مقدار Bi۲Se۳ در راستای رشد بلور Bi۲Se۳-Bi۲Te۳ چشم­گیر است.

thermoelectric semiconductor, crystal growth, thermoelectric power, quasi binary solid solution., نیمرسانای ترموالکتریکی, رشد بلور, توان ترموالکتریکی, محلول جامد شبه دوتایی.