ارتباط نوری با تراشه های فوتونیک سیلیکونی پسیو
عنوان مقاله: ارتباط نوری با تراشه های فوتونیک سیلیکونی پسیو
شناسه ملی مقاله: JR_JCEJ-8-30_005
منتشر شده در در سال 1397
شناسه ملی مقاله: JR_JCEJ-8-30_005
منتشر شده در در سال 1397
مشخصات نویسندگان مقاله:
محمد امیر قاسمی شبانکاره - دانشگاه پاسارگاد شیراز، دانشجوی کارشناسی مخابرات، شیراز
سارا رحیمی جوانمردی - دانشگاه علمی کاربردی صنایع مخابراتی راه دور ایران،شیراز
خلاصه مقاله:
محمد امیر قاسمی شبانکاره - دانشگاه پاسارگاد شیراز، دانشجوی کارشناسی مخابرات، شیراز
سارا رحیمی جوانمردی - دانشگاه علمی کاربردی صنایع مخابراتی راه دور ایران،شیراز
گزارش ها در مورد ارتباط نزدیک نوری با کیفیت عالی ۱۰ gb/s با استفاده از آینه های بازتابی و ایزولاتور از جنس سیلیکون با تلفات کم برای ارتباط بین تراشه ای می باشد. ساخت این قطعه با روشی برای کاشت یک موجبر میلهای با پهنای۸µm با یک آینه یسیار انجام گرفته است که این آینه با سطح مورد نظر زاویه ۵۴ درجه می سازد.نور در موجبر تراشهی پایینی می تواند با موجبر در تراشه بالایی جفت شود که این روش با روبروی یکدیگر قرار دادن این تراشهها انجام می گیردکه در این حالت آینههای بازتابی یک جفت کامل و یک مجاورت و نزدیکی نوری را به وجود می آورند. اندازههای ارتباطی بسیار سریع با تراشه هایی که در امتداد یک قطعه در ابعاد نانومتر قرار گرفتاند محقق شده و نتایج آن با یک روش که در آن تراشههای سیلیکونی به صورت یک بسته درآمدهاند مقایسه شده است. روش جدید ما در ساخت هسته هایی از جنس تراشهها بر اساس ترکیب کاشت هرمی روی سیلیکون می باشد که در آن از یک کرهی بسیار کوچک برای تنظیم دقیق تراشه استفاده می شود. یکپارجه کردن تراشهها می تواند باعث تنظیم خود به خود بستهها با استفاده از محل قرار گرفتن تراشهها باشد که در ابتدا کمی ضخیم هستند. تنظیم نهایی تراشه ها در روش جدید ما با رزولوشن لیتوگرافی نوری محدود می شود.علاوه بر این آرایه های چند تراشهای می توانند با یکدیگر در یک امتداد قرار بگیرند که دقت مشابهی با حالت قبلی خواهند داشت. داده های غیر قابل بازگشت به صفر(Nonreturn – to-zero data) به موجبرها ارسال شدند و در طول یک بسته که شامل ۳ ترا شهی به هم متصل شده و دو قطعه نوری می باشد منتقل شدند . این کار برای ارتباطات بین تراشهای انجام گرفت. مقادیری چون تلفات پیوستهی نوری ،دیاگرامهای چشمی ،نرخ خطایبیت و خطای توان اندازه گیری شدند یک کانال نوری که بین دو تراشه به صورت پسیو تنظیم شده استبرای داشتن تلفات ۴dB اندازه گیری شده استکه مقدار آن۱dBاز حالتی که از تراشه هایی با موقعیت مکانی در ابعاد نانو بهره می برند بیشتر است. اختلال یا اعوجاج RMS و مقادیر کمی دامنه برای کیفیت چشمی تقریبا با حالتی که کانالهای OP×C با کانال های۱۰ Gb/sمتصل می شود،برابر است. این مکانیزم برای تنظیم خود به خود تراشه ها این امکان را برای تراشه ها فراهم می کندکه از ارتباطات نزدیک در چند کلاس مختلف بهره ببرند..
کلمات کلیدی: جفت شدن قطعات, ساخت یک هستهای تراشه ای, ایزولاتور سیلیکونیsoi, فتونیک سیلیکونی, جفتگر موجبر
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1745221/