معصومه اربابی بلوچستان - گروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، سیستان و بلوچستان، ایران
علی اکبر مهمان دوست خواجه داد - گروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، سیستان و بلوچستان، ایران

پهن­ شدگی دوپلری گاماهای ناشی از نابودی پوزیترون در ورقه­ های سیلیکونی نوع ان و پی که استفاده­ی فراوانی در صنعت الکترونیک دارند، اندازه­ گیری شد. ورقه­ ها تحت تابش الکترون ­های ۱۰ مگاالکترون­ولتی (۳۰ کیلوگری)، گاماهای چشمه کبالت ۶۰ (۱۷۵ کیلوگری) و شار نوترون حرارتی راکتور (۰۳۸/۰ گری) قرار گرفته ­اند. در این تحقیق از یک سامانه ­ی متداول همزمانی طیف­­ سنجی نابودی پوزیترون، شامل یک آشکارساز فوق ­خالص ژرمانیوم، یک آشکارساز سوسوزن و چشمه­ ی پوزیترون­دهنده سدیم ۲۲، استفاده شده است. فعالیت نمک پرتوزا، ۷ میکروکوری است که بین دو لایه­ ی نازک پلیمری، هر کدام به ضخامت ۷ میکرومتر، ساندویج شده است. نتایج این تحقیق حاکی از  ایجاد  نقص قابل  مشاهده  در نمونه ­های سیلیکونی تابش دیده با الکترون است.

طیف سنجی نابودی پوزیترون, پهن شدگی دوپلری گاماهای نابودی, سیلیکون نوع ان, سیلیکون نوع پی, سیلیکون تابش دیده