سید حسام الدین موسوی - کارشناسی ارشد مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود، ایران

هدف از پژوهش حاضر بررسی ساخت نانو سیم های اکسید گالیوم و ویژگی های آن ها می باشد. نتایج نشان داد با بکاربردن یک متد ساده سریع گرمای القایی با فرکانس بالا، محصولی قوی از نانوسیم های Ga۲O۳ در کمتر از ۵ دقیقه ترکیب شده اند. تصاویر SEM قطرهای نانوسیم از ۲۰-۱۲۰ نانومتر و طولهایی تا حدود ۵μm را نشان می دهد. تصاویر HRTEM بیان می دارد که نانوسیم های Ga۲O۳ خیلی کریستالی هستند و توصیف خواص الکتریکی نانوسیم های ترکیب شده Ga۲O۳ در یک ساختار FET که نانوسیمهای نوع n از Ga۲O۳ را نشان می دهد که در دمای اتاق حاوی جریان بزرگتر و جنبش حاصل بیشتر است. بعلاوه این متد امکان یک ترکیب ساده و قوی از نانومواد دیگر را نیز فراهم می کند.

نانو سیم، نانو سیم های اکسید گالیوم، قطر نانوسیم، تصاویر SEM