سمیرا شیخی - پژوهشکده فیزیک و شتابگرها، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی، تهران
محمود پیامی شبستر - پژوهشکده فیزیک و شتابگرها، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی، تهران
محمدرضا باسعادت - پژوهشکده فیزیک و شتابگرها، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی، تهران

در این مطالعه اثر نقیصه های نقطه ای بر رسانش حرارتی دی اکسید اورانیوم بررسی شده است. به طور خاص اثر اکسیژن بین نشین و تهی جای مورد توجه بوده است. با حل معادله ترابرد فونون بولتزمن با استفاده از تقریب زمان واهلش، رسانش حرارتی دی اکسید اورانیوم برای ابرسلول های  UO۲ ، UO۲+۰.۲۵ و UO۲-۰.۲۵ به دست آمده است. ننتایج نشان دادند که افزودن هر نقیصه ای در ساختار شبکه دی اکسید اورانیوم، رسانش حرارتی را به طرز چشمگیری کاهش می دهد.  همچنین نتایج نشان دادند که تغییرات رسانش حرارتی ابرسلول UO۲-۰.۲۵ بسیار کمتر از UO۲+۰.۲۵ در بازه دمایی ۳۰۰ تا ۱۰۰۰ کلوین است.

دی اکسید اورانیوم, معادله فونون بولتزمن, رسانش حرارتی, مسافت آزاد میانگین فونونی, نقیصه