مریم نیری - عضو هیات علمی و مدیر پژوهش و فناوری دانشگاه آزاد یزد
حامد طاهری - دانشکده امام علی (ع)
فاطمه استواری - دانشکده فیزیک دانشگاه یزد

تک لایه تنگستن دی سولفید (WS۲) به دلیل دارا بودن شکاف نوار مستقیم و شدت نوردهی بالا، نوید بخش بسیار خوبی برای استفاده در دستگاه های نوری می باشد. در این پژوهش، تک لایه WS۲ را در شرایط دمایی کنترل شده سنتز و فیلم های تولید شده را با استفاده از طیف سنجی مادون قرمز (FT-IR)، رامان، اشعه ایکس (XRD) و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مشخصه یابی کردیم. نتایج نشان می دهد که ورود گاز آرگون به عنوان حامل، باعث بهبود کیفیت لایه شده و سطح رشد WS۲ را افزایش می دهد و در نتیجه فیلم ها ضخامت پوششی متوسط ۴۳ نانومتری را نشان می دهند. با کنترل دمایی رشد و ورود به موقع گاز حامل آرگون به طور موثرتری پیش ساز WO۳ کاهش یافته و از اکسیداسیون تک لایه های سنتز شده محافظت می شود. نتایج بدست آمده حاکی از سنتز کامل ساختار دو بعدی تک لایه با صفحات متشکل از اندازه کریستالی حدود ۲۶ نانومتر با ضخامت در حدود ۴۳ نانومتر می باشد.

تک لایه, تنگستن دی سولفید, روش CVD, طیف سنجی رامان