مدل سازی مشخصات I-V ترانزیستور GaN ۱۵۰ HEMT در دمای بالا با استفاده از روش یادگیری فعال فازی

در این مقاله یک مدل سازی غیر خطی در دمای بالا را برای ویژگی های I-V ترانزیستور GaN ۱۵۰ HEMT مطرح می کنیم. مشخصاتI-V ترانزیستور تشکیل یک مجموعه داده را میدهند که مدل سازی می شوند. مدل سازی دادهها در رنج دمایی ۲۵ تا ۴۰۰ درجهسانتیگراد با استفاده از الگوریتم فازی، روش یادگیری فعال (ALM) انجام میشود. آزمایشات روی یک دستگاه GaN ۱۵۰ با عرض۴۰ میکرو متر صورت گرفته است و به همین ترتیب مجموعه ای از اندازه گیری ها برای ساخت مدل دستگاه بدست آمده و مورد بهرهبرداری قرار گرفته اند. روش مورد نظر برای مدل سازی با استفاده از توانایی آن در پیش بینی ویژگی های I-V در دمای گفته شده ومحاسبه پارامترهای خطا ،ارزیابی شده است. نتایج بدست آمده نشان میدهد که مدل ویژگی های دستگاه را بر اساس محاسبه یپارامترهای خطا، درست پیش بینی می کند.

Keywords:

روش یادگیری فعال , GaN ۱۵۰ HEMT , I-V , منطق فازی