سعید محمدی - فارغ التحصیل کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی متالورژی و مواد ، پردیس دا
حسین عبدی زاده - دانشیار، دانشکده مهندسی متالورژی و مواد ، پردیس دانشکده های فنی، دان
محمدرضا گل وبستان فرد - دانشجوی دکتری، دانشکده مهندسی متالورژی و مواد ، پردیس دانشکده های فن

لایه نازک نانوساختار اکسید ایندیم قلعITO) با شفافیت بالا در محدوده نور مرئی و هدایت مناسب به روش لایه نشانی چرخشی تهیه شد. بدین منظور، محلول سل اولیه شامل محلول های کلرید ایندیم و کلرید قلع با روش لایه نشانی چرخشی بر روی زیر لایه با سرعت 3000 دور بر دقیقه نشانده شد. سپس لایه ایجاد شده در دمای 501° خشک شده و تحت عملیات آنیل در محدوده دمایی 300 تا 700° با نرخ حرارت دهی 2 و 5°C/min قرار گرفت. جهت بررسی لایه های نازک از پراش پرتو اشعهXRD) Xمیکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانیFESEM) روش مقاومت سنجی چهار نقطه ای و طیف سنجی جذب و نشر استفاده شد. موقعیت پیک ها در طیف های آنالیزXRD موید تشکیل فازهای کریستالی مکعبی بیکسبیتIn2O3و فاز کریستالی رومبوهدرالITO می باشد.

اکسید ایندیم قلعITO) لایه نازک ، سل- ژل، لایه نشانی چرخشی، عملیات آنیل