CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

SOI DEVICE SIMULATION OF AN AREA ‎EFFICIENT BODY CONTACT ‎

عنوان مقاله: SOI DEVICE SIMULATION OF AN AREA ‎EFFICIENT BODY CONTACT ‎
شناسه ملی مقاله: JR_MJEE-1-1_008
منتشر شده در در سال 1386
مشخصات نویسندگان مقاله:


خلاصه مقاله:
We have used three-dimensional simulation to investigate application of a new body contact to SOI devices. Performance characteristics of the new body contact on high-voltage SOI devices were studied. Our comparative investigation showed increased current drive, improved cutoff frequency, reduced on-resistance while attaining satisfactory breakdown voltage. The new body contact is applicable to both high and low voltage SOI MOSFETs.

کلمات کلیدی:
en

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1799765/