- منصوره ایلخانی
- محمدرضا ابوالحسنی
- سعید جلالی اسدآبادی

گرادیانهای میدان الکتریکی (EFG’s) در مکان­ In و ممان مغناطیسی اسپینی در مکان Ce در ترکیب ۳ CeIn محاسبه شده­اند. محاسبات با افزایش تدریجی فشار از ۵- تا  ۲۲Gpa+و با استفاده از نظریه تابعی چگالی و روش امواج تخت بهبود یافته به علاوه اربیتال موضعی و به کارگیری تقریب PBE-GGA+U و WC-GGA+U انجام شده­اند. نتایج گویای کاهش تق ر یبا خطی ممان مغناطیسی اسپینی سریم با افزایش فشار است. از نتایج به دست آمده مشاهده می­شود که گرادیانهای میدان الکتریکی­ محاسبه شده در مکان In ؛ به عکس, با افزایش فشار افزایش می­یابند. گرادیانهای میدان الکتریکی در فشار صفر را با نتایج نظری دیگران و نتایج تجربی مقایسه کرده­ایم. مقایسه انجام شده نشان می­دهد که گرادیانهای میدان الکتریکی نسبت به نتایج دیگران با تجربه در فشار صفر سازگاری بیشتری دارد. نتایج نشان می­دهند که ممان مغناطیسی اسپینی در یک نقطه بحرانی کوانتمی خاص فرو نشانده می­شود.

WC-GGA, PBE-GGA, LSDA+U, DFT, چگالی حالتها, ممان مغناطیسی, گرادیان میدان الکتریکی