رضا شکوری - مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران، تهران
حسن حیدری - دانشگاه بین المللی امام خمینی(ره)، قزوین

در این مقاله اثر میزان شار اکسیژن هنگام لایه نشانی بر روی ضریب شکست لایه اکسید آلومینیوم بررسی شده است. لایه های  توسط تفنگ الکترونی بر روی زیرلایه شیشه ای در شارهای متفاوت اکسیژن انباشته شده اند. درجه حرارت زیرلایه در زمان لایه نشانی ۲۵۰ درجه سلسیوس ثابت نگه داشته می شود. طیف عبوری نمونه ها با استفاده از اسپکتروفوتومتر در محدوده طول موجی  اندازه گیری شده اند. سپس با استفاده از نقاط بهینه (بیشینه یا کمینه) منحنی عبور، ضریب شکست و ضریب خاموشی نمونه ها محاسبه می شوند. نتایج نشان می دهد که با کاهش شار اکسیژن، در حالی که نرخ تبخیر ثابت نگه داشته شده است، ضریب شکست لایه های  کاهش می یابد. از طرف دیگر، کاهش شار اکسیژن باعث ایجاد مقدار کمی جذب در لایه می شود.

رسانش الکترونی, تنگابست, شار مغناطیسی, نانو حلقه کربنی