وحید برهانی فر - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
اعظم ایرجی زاد - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
محمود صمدپور - دانشکده علوم، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر طوسی، تهران

در این مقاله سلول های خورشیدی حساس شده با نانوبلور های سولفید فلزی CdS و PbS رشد داده شده به روش شیمیایی SILAR ، ساخته و مشخصه یابی شدند. سلول های ساخته شده با این روش، در مجاورت نور و تاریکی در دوره های زمانی ۲، ۳، ۶ و۱۰ روز پس از ساخت مورد آزمایش های فوتوولتائیک مانند : آزمایش تعیین نمودار جریان- ولتاژ سلول در مجاورت نور و در تاریکی، آزمایش افت ولتاژ مدار باز سلول و آزمایش طیف نگاری امپدانس الکتروشیمیایی، قرار گرفت. از این آزمایش ها روند تغییرکمیت هایی مانند ضریب عملکرد سلول، بازده، ولتاژ مدار باز، جریان اتصال کوتاه، طول عمر الکترون در نانوساختار الکترود آند، مقاومت باز ترکیب و ظرفیت خازنی در فصل مشترک الکترولیت- فوتوآند با گذشت زمان بررسی و همچنین برای برخی مشاهده های فوتوولتائیک، مانند افزایش و کاهش مقاومت بازترکیب در فصل مشترک الکترولیت- فوتوالکترود به ترتیب برای سلول های نگه داری شده در تاریکی و سلول های نگه داری شده در مجاورت نور سازوکار های پیشنهادی ارایه شد

نانوبلورهای سولفید فلزی, طیف نگاری امپدانس, طول عمر الکترون ها, مقاومت بازترکیب