- زهرا نوربخش - دانشگاه صنعتی اصفهان
- مارک لاسک - دانشگاه صنعتی اصفهان
- سیدجواد هاشمی فر - کلرادو اسکول آو ماینز
- هادی اکبرزاده - دانشگاه صنعتی اصفهان

در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف ۲% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-Si شدیم. میزان افزایش گاف در ازای هر درصد هیدروژن اضافه شده، برابر با حاصل شده است که با سایر نتایج نظری موجود در توافق است.

نظریه تابعی چگالی, ساختارهای بی نظم, جایگزیدگی, سیلیکون, گاف انرژی, چگالی حالت ها