محسن غلامی - دانشگاه صنعتی اصفهان
منصور حقیقت - دانشگاه صنعتی اصفهان
غلامرضا خسروی - دانشگاه صنعتی اصفهان

در این مقاله اثر ناجابه جایی بر گذار نیمه­لپتونی B Ò Dlv بررسی می شود. معادل راس برهم کنش ضعیف با بوزون های w در فضای ناجابه جایی را جایگزین راس ضعیف این گذار می کنیم. خواهیم دید، که عامل های ساختار بیشتری برای توصیف قسمت هادرونی نیاز است. این عامل های ساختار را با قانون جمع QCD و تا پایین ترین مرتبه اختلالی و غیر اختلالی همراه با تصحیحات ناجابه جایی محاسبه می کنیم. همچنین تصحیحات نرخ واپاشی را به دست می آوریم و در پایان با توجه به مقدار آزمایشگاهی نسبت انشعابی B Ò Dlv=(۵.۵ ± ۰.۵) × ۱۰-۲ روی مقیاس ناجابه جایی Λ NC حدی از مرتبه GeV ۴ به دست می آید.

گذار نیمه لپتونی, فضای ناجابه جایی, عامل ساختار, نرخ واپاشی