سارا یزدانی - دانشگاه صنعتی امیرکبیر
کاووس میرعباس زاده - دانشگاه صنعتی امیرکبیر

در این مقاله، بر اساس نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته، پس از بهینه سازی ساختار نانوسیم های اکسید روی با سطح غیر اشباع و اشباع شده با اتم های هیدروژن در جهت [۰۰۰ ۱  ] ، به مطالعه اثرات فشار تک محور بر ساختار نانوسیم و محاسبه مدول یانگ و ضریب موثر پیزوالکتریک آنها پرداخته ایم. همچنین تاثیر فشار تک محور بر قسمت موهومی تابع دی الکتریک را نشان داده ایم.

نانوسیم, مدول یانگ, پیزو الکتریسیته, تابع دی الکتریک