محاسبه بزرگی میدان الکتریکی داخلی کلی در ساختارهای ناهمگون GaN/InxGa1-x N با تبلور ورتسایت
Publish place: 16th Symposium of Crystallography and Mineralogy of Iran
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 941
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SCMI16_239
تاریخ نمایه سازی: 8 بهمن 1391
Abstract:
در ساختارهای چند لایه ای از نیمرساناها کرنشهای درونی ساختار که غالبا در سطح مشترک لایه ها تولید می شوند دارای آثار پیزوالکتریکی هستند. در این ساختارها به سبب ناهمسانگردی بلور و نیز ناهمسانگردی نیروهای ناشی از کرنش که بلور را تحت تاثیر قرار می دهند، هم کرنش وهم پیزوالکتریک هر کدام بصورت یک تانسور ظاهرمی شوند. ما در این مقاله ابتدا بردار قطبش الکتریکی را از حاصلضرب این دو تانسور بدست آورده سپس میدان پیزوالکتریکی را بر حسب تغییرات کسر مولی ایندیم در ساختار چاههای کوانتمی چندگانه GaN/InxGa1-xN محاسبه نمودیم. در ساختارهای بلوری ورتسایت این نیمرساناها علاوه بر میدان پیزوالکتریکی میدان الکتریکی دیگری نیز بطور ذاتی وجود دارد که به میدان خود بخودی موسوم است. این میدان بنابر شرایط رشد میتواند همسو یا ناهمسو با میدان پیزوالکتریکی باشد. ما همچنین میدان الکتریکی کل را که برآیند این دو میدان است برای یک نوع از این ساختارها محاسبه نموده ایم.
Authors
حمیدرضا علائی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود، دانشکده فیزیک، دانشگاه آزاد اس
حسین عشقی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود،