در این پژوهش نانوسیمهای اکسید روی با خواص ساختاری بالا از طریق اکسیداسیون حرارتی لایههای نازک Zn فلزی رشد داده شدند. فیلمهای Zn با ضخامت ۲۵۰ نانومتر با استفاده از تکنیک تبخیر در خلاء بر روی زیرلایه شیشه لایه نشانی گردیدند. جهت رشد نانوسیمهای اکسید روی، فیلمهای Zn لایهنشانی شده به مدت ۳۰ دقیقه، ۱ساعت و ۳ ساعت در دمای ˚C۶۰۰ در محیط هوا با استفاده از یک کوره افقی اکسید شدند. مورفولوژی سطح نمونهها با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص گردید و نتایج نشان داد که با افزایش مدت زمان فرآیند اکسیداسیون، میزان شکل گیری و طول نانوسیمهای اکسید روی افزایش مییابد. در طیف EDX نمونهها به جزء اکسیژن و روی عنصر دیگری یافت نشد که نشان دهنده خلوص بالای نانوسیمهای اکسید روی رشد یافته است. نتایج حاصل از آنالیز XRD همچنین نشان داد نانوسیمهای اکسید روی دارای ساختار ورتسایت با پیک ترجیحی قوی (۰۰۲) میباشد.

اکسید روی, نانوسیم, اکسیداسیون حرارتی, تکنیک تبخیر در خلاء, خواص ساختاری