در این پژوهش لایه های نازک اکسید روی (ZnO ) از طریق اکسیداسیون حرارتی لایه های نازک روی(Zn )، که به روش کندو پاش مگنترون بر زیر لایه نیوبات لیتیم انباشت شده، تولیدگردیدند. وابستگی به دما و مدت زمان گرمادهی ویژگی های اپتیکی این نانولایه ها مورد مطالعه قرار گرفته است. تغییرات توان عبوردهی(T)، بازتابندگی(R) و ضریب خاموشی(k) نمونه ها برای گستره طول موج ۱۱۰۰-۲۰۰ نانومترنسبت به دما و زمان حرارت دهی اندازه گیری شده است. با افزایش دمای بازپخت توان عبوردهی لایه ها کاهش نشان می دهد و در دماهای زیاد(oC ۸۰۰ )  که احتمال نفوذ لایه ZnO به زیرلایه نیوبات لیتیم فزونی می یابد، عبوردهی افزایش یافته و به توان عبوردهی اولیه زیرلایه نزدیک می گردد. انرژی گاف اپتیکی لایه های اکسیدروی برای شرایط متفاوت حرارت دهی اندازه گیری شده و با افزایش دما مقدار آن کاهش می یابد، در دمای oC ۸۰۰ با ازدیاد زمان حرارت دهی انرژی گاف اپتیکی فزونی یافته و دراین شرایط نفوذ لایه به درون نیوبات لیتیم فراهم می گردد.

لایه نازک اکسیدروی, بلورنیوبات لیتیم, خواص اپتیکی, کندوپاش مگنترون