سعیده رمضانی ثانی - گروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد رودهن، تهران، ایران
فرشته جوانی جونی - پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، پژوهشکده فوتونیک و فناوریهای کوانتومی، تهران، ایران
عبداله مرتضی علی - گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران، ایران

در این پژوهش نانوسیم های TiO۲ به روش فیزیکی و با استفاده از دو مرحله ی تبخیر حرارتی در خلا و بازپخت گرمایی در کوره ی استوانه ای ساخته شدند. به منظور دستیابی به شرایط رشد مطلوب، ما به مطالعه اثر دمای انباشت بر رشد این نانو ساختارها پرداختیم و نمونه ها را در سه دمای مختلف℃۷۵۰و ℃۸۵۰ و℃۹۵۰ رشد دادیم. با تحلیل نتایج حاصل از آنالیزهای XRD و SEM نمونه ها، مشاهده کردیم که با افزایش دمای انباشت نانوسیمها کوتاهتر و ضخیمتر میشوند بطوری که می توان گفت: دمای انباشت مناسب برای رشد نانوسیمهای بهینه °C۸۵۰ است، که با نتیجه مطالعات پیشین در توافق خوبی است. در ادامه به منظور بررسی خواص اپتیکی این نانو ساختارها طیف بازتاب نمونه ها در بازه طول موج ۲۰۰ تا ۸۰۰ نانومتر با فرود عمود توسط دستگاه اسپکتروفتومتر(carry۵۰۰) تهیه شده و با طیف بازتاب نمونه حجمی مقایسه شد.

نانوسیم های TiO۲،دمای انباشت،خواص اپتیکی