مرضیه دادخواه - گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور
تورج غفاری - واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران

در این مقاله، بلور فوتونی سه لایه ای ۱ بعدی (۱-DTPC ) با هندسه متقارن را بررسی می کنیم. حالت های نقص برای قطبش میدان الکتریکی عرضی و میدان مغناطیسی عرضی با تغییر طول موج بررسی می شوند. در این حالت، دو قله تشدید در نوار گاف فوتونی (PBG ) وجود دارد که مربوط به حالت نقص است. در قطبش میدان الکتریکی عرضی، با افزایش زوایای فرودی، حالت های نقص به سمت طول موج کوتاه تر و در قطبش میدان مغناطیسی عرضی به سمت طول موج بزرگ تر منتقل می شوند. ارتفاع مدهای نقص به زوایای فرودی ارتباطی ندارد. با افزایش تعداد سلول های واحد، پهنای حالت های نقص کاهش می یابد و این افزایش در موقعیت مکانی حالت نقص تاثیری ندارد. علاوه بر این، با افزایش ضریب شکست لایه نقص، حالت های نقص به سمت مرکز نوار گاف برای قطبش های میدان الکتریکی عرضی و میدان مغناطیسی عرضی منتقل می شوند. مد نقص با طول موج کوتاهتر سریعتر از مد نقص با طول موج بزرگتر جابجا می شود. همچنین با افزایش ضخامت لایه نقص، مدهای نقص به سمت طول موج بزرگتر جا به جا می شود.

"بلور فوتونی", "مد های نقص", " شکاف باند فوتونی"