مجتبی عطایی - School of Physics, Damghan University, Damghan, Iran.
محمد رضا فدوی اسلام - School of Physics, Damghan University, Damghan, Iran.

در این پژوهش، دیودها با لایه نشانی لایه نازک اکسید مولیبدن بر بستر سیلیکون آلایش شده نوع p با هدف بررسی اثر دمای بستر بر ویژگی دیود ساخته شدند. به این منظور، لایه های نازک اکسید مولیبدن در بسترهای با دمای ۳۵۰، ۴۰۰، ۴۵۰ و  oC ۵۰۰ به روش افشانه گرمایی لایه­نشانی شدند. ویژگی­های ساختاری و نوری لایه­های نازک بررسی گردید. آنها ماهیتی بسبلوری با ساختار راست­گوشی و قله­های پراشی مربوط به صفحه­های (۰۲۰)، (۰۴۰) و (۰۶۰) را نشان می­دهند که قله ارجح در همه نمونه­ها (۰۴۰) است. ریختار سطح نمونه­ها بدون ترک و دارای دانه­بندی مستطیل شکل با اندازه دانه­های در گستره ۱۱۰ تا ۲۱۰ نانومتر است. همچنین زبری متوسط سطح آنها در گستره ۱۵۷ تا ۱۶۷ نانومتر اندازه­گیری شد. گاف نوری نمونه­ها در گستره­ ۸۴/۲ تا eV ۹۵/۲ برآورد شد. نمودار ولتاژ – جریان نمونه­ها رفتار دیودی آنها را نشان داد. دیود ساخته شده در دمای بستر oC۴۰۰ دارای کمترین ولتاژ آستانه است.

Molybdenum oxide, thin film, spray pyrolysis, p-n junction diode, اکسید مولیبدن؛ لایه نازک؛ افشانه گرمایی؛ دیود.