Analysis of Kirk Effect in Nanoscale Quantum Well Heterojunction Bipolar Transistor Laser

Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: English
View: 57

This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JOPN-5-2_003

تاریخ نمایه سازی: 25 بهمن 1402

Abstract:

In this paper, we present an analytical model to analysis the kirk effect onstatic and dynamic responses of quantum well heterojunction bipolar transistor lasers(HBTLs). Our analysis is based on solving the kirk current equation, continuityequation and rate equations of HBTL. We compare the performance (current gain,output photon number and small signal modulation bandwidth) of the transistor laserwith different levels of the kirk current. We show that, at high collector currents, thestatic and small signal behavior of HBTL depend on kirk current level. The resultsindicate that, the level of kirk current affect current gain, output photon number andmodulation bandwidth From simulation results, it can befound that, kirk effect hasdestructive influence on HBTL performance. It was found that lower modulationbandwidth and lower current gain occurs at lower kirk current level. For increasing kirkcurrent, the high collector-base voltage and high collector length was proposed.

Keywords:

Quantum well , Heterojunction Bipolar Transistor lasers (HBTLs) , Kirk Effect , Saturation Velocity

Authors

ashkan horri

Department of Electrical Engineering, Arak Branch, Islamic Azad University Arak, Iran

Seyedeh Zahra Mirmoeini

Department of Electrical Engineering, Arak Branch, Islamic Azad University Arak, Iran

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • W. Liu, Fundamentals of III-V Devices, HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs ...
  • B. Faraji B, W. Shi, D L. Pulfrey, and L. ...
  • Available: https://aip.scitation.org/doi/۱۰.۱۰۶۳/۱.۳۵۶۹۹۴۹[۱۰] A. Horri, S.Z. Mirmoeini, and R Faez, The ...
  • نمایش کامل مراجع