تحلیل و شبیهسازی عملکرد دمای اتاق ترانزیستور تک-الکترون مبتنی بر نقطه کوانتومی سیلیکنی
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 657
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_014
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
Abstract:
ما در این مقاله عملکرد ترانزیستور تکالکترون مبتنی بر نقطه کوانتومی سیلیکنی 1 با قطر 1 نانومتر را بررسی کردهایم و نشان دادهایم که اگر اندازه جزیره 2 از جنس نقطهی کوانتومی 3 سیلیکنی کاهش یابد )کوچکتر از 21 نانومتر( ترانزیستور قابلیتعملکرد در دمای اتاق را پیدا میکند. در این راستا اثر کاهش اندازه نقطه کوانتومی یعنی گسسته شدن سطوح انرژی آن و همچنین اثر پهنشدگی سطوح انرژی نقطه کوانتومی را برعملکرد دمای اتاق ترانزیستور تحلیل و شبیهسازی کردهایم. بررسیهای ما نشان میدهد که گسستگی سطوح انرژی نقطه کوانتومی و پهنشدگی متفاوت برای هر یک از آنها، منجر به نرختونلزنی متفاوت برای هر سطح انرژی و درنتیجه باعث ایجاد مشخصه نوسانات کولنی نامتقارن )پیکهای جریان متفاوت( برای ترانزیستور میشود. شبیهسازیها بر اساس روش مونت کارلو و با استفاده از شبیهسازSIMON انجام شدهاند.
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :