CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

سنتز و بررسی خواص نانوساختاری نانوکامپوزیتNiO/SiO 2 در کاربردهای نانوالکترونیک

عنوان مقاله: سنتز و بررسی خواص نانوساختاری نانوکامپوزیتNiO/SiO 2 در کاربردهای نانوالکترونیک
شناسه ملی مقاله: ICNE01_035
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران در سال 1391
مشخصات نویسندگان مقاله:

بهار دستداران - دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری-
خدیجه تقوی - دانشگاه مازندران- دانشکده علوم پایه- گروه فیزیک
علی بهاری - دانشگاه مازندران- دانشکده علوم پایه- گروه فیزیک

خلاصه مقاله:
سنتز نانوکامپوزیتNiO/SiO2به روش سادهی سل- ژل انجام گرفت. از تکنیکهای FTIR و SEM ،XRD برای تعیین ساختار فاز، ریختشناسی سطح و بررسی پیوندهای شیمیایی این نانوکامپوزیت استفاده شده است. اندازهی نانوذرات، به روشX-Powder بر مبنای رابطهی دبای- شرر( و کرنش شبکه به وسیلهی معادله ویلیامسون- هال بهدست آمده است. نتایج حاصل نشان دادهاند که نانوکامپوزیت سنتز شده تا دمای حدود 1111 درجه سانتیگراد دارای ساختاری عاری از شکاف، درز و حفره میباشد و این دلیلی برای کاهش شدید جریانهای نشتی و تونلی و همچنین افزایش استحکام ساختاریماده است. در نهایت نانوکامپوزیت سنتز شده در این آزمایش مادهای مناسب برای کاربرد در صنایع نانوالکترونیک شامل ساخت گیت ترانزیستور و محفظههای فراخلاء میباشد

کلمات کلیدی:
سل- ژل، نانوالکترونیک، نانوترانزیستور وNiO/ SiO2

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/193100/