بهبود بازده سلول خورشیدی فیلم نازکCIGS باافزایش چگالی ناخالصی بخشی از لایه جاذب

Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 680

This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICNE01_052

تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392

Abstract:

در این مقاله روشی برای کاهش بازترکیب در فصل مشترک جاذب/ اتصال پشتی سلولهایCIGSارائه شده است. یک سد حامل در فصل مشترک لایه جاذب و اتصال پشتی، میتواندالکترونها را به جاذب سوق دهد و مانع بازترکیب آنها در اتصال پشتی سلول شود. این سدمیتواند به روشهای متفاوتی در ساختار سلولCIGSگنجانده شود. در این کار برای اولینبار برای یک سلولCIGSاثر اضافه کردن یک لایه با چگالی ناخالصی بالا در فصل مشترک جاذب/اتصال پشتی بررسی شده است و اثر تغییر ناخالصی لایهp و  p ضخامت مختلف سلول مورد بررسی قرار گرفته و در نهایت راهکاری برای افزایش بازده سلول ارائهگردیده است

Keywords:

سلول فیلم نازکCIGS بهبود بازده سلولCIGS بازترکیب اتصال پشتی , تغییر ناخالصی لایه جاذب

Authors

عبدالنبی کوثریان

دانشگاه شهید چمران اهواز

فاطمه تحویل زاده

دانشگاه شهید چمران اهواز

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Thin Film Solar Cells: Fabrication, Ch a racterizatior and Applications. ...
  • J.Malmstrom, "On Generation and Recombination in Cu(In, Ga)Se2 thin films ...
  • H. W. Schock, J. H. Werner, Backsurface bandgap gradings in ...
  • _ _ _ _ (2005) 1891-1894. ...
  • A Simple Model of Graded Band. ءه [7] Arturo M ...
  • R.Krishnan, E.A.Payzant. Reaction kinetics and pathways of MoSe2. IEEE 2010. ...
  • _ _ _ _ Electron Devices, vol. ED-24, pp. 363-372, ...
  • _ _ _ _ # _ Devices, vol. 30, pp. ...
  • نمایش کامل مراجع