CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی خواص ساختاری ، الکترونی ومغناطیسیCo2MnGeو فیلم لایه نازکCo2MnGe001

عنوان مقاله: بررسی خواص ساختاری ، الکترونی ومغناطیسیCo2MnGeو فیلم لایه نازکCo2MnGe001
شناسه ملی مقاله: ICNE01_064
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران در سال 1391
مشخصات نویسندگان مقاله:

شهپر محمدی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
آرش بوچانی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه
سیدمحمد الهی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
آذین بابادی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه

خلاصه مقاله:
دراین مقاله خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسیی ترکیبCo2MnGeبا استفاده ازنظریه تابع چگالی و کدمحاسباتی Wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است ترکیبات هویسلر کاربرد وسیعی درصنعت اسپینترونیک دارند ترکیب هویسلر Co2MnGe درفاز مغناطیسی پایدارتر ازفاز غیرمغناطیسی آن است فشارگذار محاسبه شده برای انتقال فاز از حالت مغناطیسی به غیرمغناطیسی GPA3/12 محاسبه شده است این ترکیب دارای دمای بالا و پایداری الاستیکی مناسبی است درحالت تعادل Co2MnGe نیم فلز است و دراسپین اقلیت حالات الکترونی سطح فرمی را قطع نمی کنند اما تحت فشاراندازه گاف نواری تغییر می کند ودرفشارهای مثبت حالات الکترونی سطح فرمی را قطع می کنند.

کلمات کلیدی:
نظریه تابعی چگالی، نیم فلز ، فیلم لایه نازک Co2MnGe001 تقریب GGA

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/193125/