بررسی خواص الکتریکی و فیزیکی مد افزایشی ترانزیستور اثر میدانMOSبا پایهInP و طول گیت50nm
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 726
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_116
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
Abstract:
در این تحقیق ترانزیستور اثر میدان فلز، اکسید، نیمرساناMOSFET)درابعاد نانو با پایهInP توسط روش آماری شبیه سازی مونت کارلو با در نظر گرفتن عوامل پراکندگی و اثرات غیر سهموی بودن نوار انرژِی مورد محاسبه قرار گرفت. طول گیت50nmدر نظر گرفته شد. ترانزیستور در مد افزایشی و با ولتاژ گیت0.8 v مورد بررسی قرار گرفت و خواص الکتریکی و فیزیکی جریان، انرژی و سرعت سوق در طول دستگاه بدست آمد و نتایج ولتاژ درین 0.2 و 0.6 و 1.0 با هم مقایسه شد. اندازه گیری سرعت سوق تغییرات تحرک پذیری در طول دستگاه را نشان می دهد
Keywords:
Authors
امیر اکبری
دانشگاه پیام نور مشهد،مشهد
هادی عربشاهی
دانشگاه پیام نورفریمان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :